显示面板产线的核心制程中，氦气的应用占比已跃居特种气体品类前列，多数高世代线的单月氦气消耗量可达数千立方米，这一需求并非行业惯性选择，而是由面板制造的物理特性与精度要求决定的。
在面板成膜环节，尤其是低温多晶硅与氧化物半导体的沉积工序，需要在接近真空的腔体内部形成均匀的反应氛围，氦气的热传导速率是常用保护气体氩气的数倍，能够快速带走制程中局部区域产生的热量，避免晶圆基片出现温度差导致的膜厚不均，当前主流的OLED产线中，氦气作为载气的配比精度需控制在万分之一级别，稍有偏差就会出现面板亮度不均的瑕疵。
面板制程中的精密检漏环节，氦气是唯一适配的示踪气体，其分子直径远小于常规气体分子，能够渗透到微米级别的腔体焊缝与管路接口缝隙中，高世代产线的真空腔体容积可达数百立方米，只有氦气的低吸附、易扩散特性，能够在不残留干扰物质的前提下，在数分钟内完成全管路系统的漏点检测，若使用其他气体，不仅检测耗时会翻倍，还可能遗漏微漏点，导致产线运行后出现制程稳定性波动。
偏光片贴合的预处理工序里，氦气常被用于高压吹扫，其密度接近空气且化学性质完全惰性，既不会对面板表面的光学涂层产生腐蚀，也不会在贴合过程中形成气泡残留，相比氮气等常用气体，氦气的吹扫气流更易实现均匀分布，能够将贴合环节的气泡不良率控制在十万分之三以内，这一精度是其他气体难以达到的。
随着Mini LED与Micro LED产线的普及，氦气的应用场景还在进一步拓展，这类新型面板的巨量转移工序需要在恒温恒湿的密闭腔体内完成，氦气的热稳定性能够保障腔内温度波动控制在0.1摄氏度以内，避免因热胀冷缩导致的芯片对位偏差。当前全球高世代面板产线的氦气自给率普遍不足三成，多数依赖稳定的长约供应，也正是因为其在核心制程中的不可替代性，一旦供应出现波动，会直接影响整条产线的良率与运行效率。
不少行业观察者曾尝试寻找氦气的替代方案，但目前已验证的多种混合气体，要么在热传导效率上存在明显短板，要么会在长期运行中对腔体内部的精密部件产生损耗，综合成本反而高于直接使用氦气，这也让氦气成为显示面板制造环节中，少数难以实现国产气体完全替代的核心耗材之一。
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