功率器件制造需氦气，其供应紧俏价涨，现有两类替代方案存局限，未来中低压领域氦气使用将缩减。
氦气凭借独特理化属性，是HJT光伏、芯片制造的不可替代耗材，需求攀升，成高端制造关键配套要素。
氦气因特性适配，在主流SiGe工艺多关键环节作用关键，其供应稳定性关乎该先进产能推进。
氦气是硅外延生长制程中不可替代的关键介质，匹配其严苛需求，当前暂无替代物，核心地位将长期保持。
晶圆传送盒填充的氦气是先进制程良率管控关键，可防污染、匀散热、阻杂质，为14nm以下制程必备。
氦气因特性适配需求，是半导体领域电子显微镜运行的不可替代核心材料，其稳定供应关乎高端半导体产线安全。
先进制程晶圆制造的边缘热效应痛点，可借氦气的优异特性调控热场，提升良率，其应用正进一步拓展。
氦气因导热优、适配性强，用于离子注入冷却可提效保品质，已在多高端制造场景广泛应用。
氦气等离子体可优化光刻胶性能，但参数、光刻胶匹配不当易引发缺陷，晶圆厂需闭环管控参数。
氦气因独特理化属性，是原子层沉积工艺中不可替代的载气，可保障制备质量、提升生产效率。
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